IT之家 7 月 15 日讯，星电新建据《韩国经济日报》报道，拟投三星电子计划在其位于韩国京畿道器兴的数万园区内新建一座 DRAM 晶圆制造工厂。该工厂规划月产能达到 10 万片晶圆，亿韩元于月产预计总投资规模将达数十万亿韩元。器兴

这块土地原定为研发中心用地，工厂现调整为生产设施用地。星电新建市场普遍将此解读为三星电子为应对 AI 基础设施投资热潮引发的拟投存储芯片需求激增，而进行的数万产能布局战略调整。报道称，亿韩元于月产该项目最快有望于 2026 年第三季度正式动工。器兴受此利好消息提振，工厂三星电子股价当日上涨 7%。星电新建

器兴园区在三星电子的拟投半导体发展史上占据重要地位。自 1983 年投入运营以来，数万这里不仅是韩国运营时间最长的半导体生产基地之一，更是三星半导体业务的发源地。1992 年，三星正是在该园区成功开发出全球首款 64Mb DRAM 芯片，从而确立了其在全球存储芯片市场的领先地位。

近年来，该园区主要承担成熟制程节点的生产任务，工艺能力已下探至 8 纳米。2022 年，三星在器兴园区启动了名为 NRD-K 的大型研发中心建设，该项目占地约 10.9 万平方米，投资额约 20 万亿韩元（IT之家注：按当前汇率约合 907.2 亿元人民币），预计于 2028 年至 2030 年间全面完工。该研发中心的一条专用研发生产线已于 2025 年中期投入运营，专注于新一代存储器和系统半导体的研发。此次计划新建的 DRAM 工厂，是在该研发中心之外，于园区内另行开辟地块建设的大规模生产设施。

从宏观布局来看，三星电子正同时在多个基地推进产能扩张计划。目前，其平泽巨型园区是 HBM（高带宽内存）生产的核心基地。此外，三星还在全罗南道光州推进两座先进半导体晶圆厂的建设，总投资高达 400 万亿韩元（现汇率约合 1.81 万亿元人民币）。同时，三星还计划将京畿道龙仁半导体集群内首座晶圆厂的投产时间提前至 2029 年。

在 HBM 领域，三星电子正全力追赶已与英伟达建立早期供应合作并占据市场优势的 SK 海力士。近期，三星电子在其平泽 P4 工厂安装了一条月产能达 10 万片晶圆的新产线，该产线可用于生产第六代 HBM（即 HBM4）。